简单可靠亦更具成本优势，11家厂商推出12款20W合封氮化镓芯片
前言
曾几何时，20W快充仍是这个行业十分热门的词汇，但快充技术的发展速度远超行业从业人员的预期，手机快充不断快速突破120W、200W甚至是300W这种令人难以置信的数值，在这样的背景下20W快充显得有点不够看，但即便如此，其对应的快充市场规模仍不可小觑。
首先20W快充有着十分明显的苹果生态特征，只要后续的iPhone系列在快充功率上没有大更新，便可让20W快充市场维持一定的市场规模。其次放眼世界，各个地区的发展是不平衡的，20W快充产品凭借其“物美价廉”的特点，仍旧可以在一些相对落后的地区打出一片天地，创造出需求来。凭借上述两点，足以吸引相关厂商继续投入其中。
氮化镓普及最后一公里
说起20W快充市场的诞生和爆发，离不开苹果对于手机快充功率的提升以及相关“环保”策略的执行，而这一切可以追溯到苹果iPhone 12系列手机的发布。
2020年10月14日苹果iPhone12系列新机发布，在充电方面，新机不仅将有线充电功率从18W提升至20W以及支持全新的15W磁吸无线充电，而且出于环保考虑，新机都不再标配的充电器和耳机。不仅如此，苹果官网在售的iPhone 11、iPhone XR、iPhone SE等机型全部都已经取消了标配充电器。
要知道，自iPhone 8开始，后续的苹果手机都支持快充，然而一下子取消多部机型标配充电器这一传统，从iPhone的全球出货量来看，已经造成了上亿规模的快充市场空缺。因此消息一出，一下子引爆了20W快充市场，可以说是出道即巅峰，安克、小米、公牛等各大品牌纷纷入局。
时至今日，20W快充市场的发展历时将近3年，很多品牌方推出的20W快充产品在有活动的情况下已经来到了1元1瓦区间，甚至是更加的便宜，价格方面的竞争愈发残酷。其次迷你充作为一种全新形态产品，因为做得足够小巧精致，越来越受消费者青睐，这同样对产品内部所使用的快充方案提出更高要求。
合封氮化镓方案能够大大精简开关电源外围电路和减少器件的使用量，降低迷你充这类产品的开发难度和成本，同时可靠性、效率表现也更好，相较传统快充方案，在面对上述问题有着天然优势。
据充电头网不完全统计，就20W快充市场，目前已有东科、芯茂微、诚芯微、钰泰、华源、杰华特、必易微、茂睿芯、纳微、昂宝、南芯等厂商推出相应的合封氮化镓芯片，以满足市场的要求，为消费者带来物美价廉的20W快充产品。
排名不分先后，按企业英文首字母排序。
DK东科
DK025G
DK025G是一款高度集成了650V/800mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK025G检测功率管漏极和源极之间的电压VDS,当VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。芯片最高支持250KHz开关频率，芯片内部集成氮化镓开关管、控制器、驱动器、高压启动电路和保护单元。
DK025G采用PDFN5x6封装，可通过PCB铜箔散热，简化散热要求，降低温升。DK025G极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK025G具备完善的保护功能：输出过压保护(OVP)，VCC过欠压保护，过温保护(OTP)，开环保护，输出过流保护(OCP)等。
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CHIP HOPE芯茂微
LP88G24
芯茂微 LP88G系列氮化镓合封芯片是一款高性能，高可靠性的高频氮化镓合封芯片，芯片内置高压启动和X电容放电，针对PD快充应用，设计了过流限制保护。
芯片采用多模式恒压控制方式，重载下以QR模式运行，随着负载减轻进入谷底工作模式。轻载时为进一步降低开关损耗，会采用MPCM模式运行，降低开关频率。
LP88G系列氮化镓合封芯片集成多重保护功能，集成异常过流保护，取样电阻短路/开路保护，输出过压保护，VCC过压保护，Brown out保护，过热保护和过流以及过功率保护。芯片还内置两级VCC供电，耐压高达200V，支持双绕组供电，无需外置供电芯片。
CXW诚芯微
CX75GD080BL
诚芯微CX75GD080BL是一颗内部集成高压氮化镓开关管的高频高性能准谐振电源芯片，适用于27W内开关电源应用。
CX75GD080BL这款芯片的工作频率高达200KHz，支持全功率范围准谐振模式运行，轻载支持突发模式提升效率。
诚芯微 CX75GD080BL集成VCC供电欠压/过压保护，输入欠压/过压保护，输出过压保护，FB引脚开路/短路保护，同步整流管短路保护，电流取样电阻开路/短路保护。芯片采用SOP8L封装，适用于PD快充和电源适配器应用。
ETA钰泰
ETA80G25
钰泰半导体ETA80G25采用SSOP10封装，内置650V耐压，850mΩ D-mode氮化镓开关管。内部开关管漏极连接大面积铜箔散热，可实现良好的散热并满足绝缘耐压要求。
ETA80G25支持90-264V输入，支持27W功率输出。芯片支持CCM/QR/DCM运行模式，满载最高开关频率80kHz，轻载下支持频率折返控制，可实现全功率范围内的高效率。
ETA80G25集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。所提供的器件均支持锁存与自动重启动的常用组合，这是快充和USB PD设计等应用所要求的特性。所提供的器件提供输出线压降补偿选项。
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HYASIC华源
HYC3601E/H
华源半导体HYC3601E/H内置智能多模式数字控制，支持支持CCM/DCM/PFM/QR突发运行模式，以获得效率和性能的平衡。芯片采用SOP7封装。芯片内部集成增强型高压氮化镓开关管，数字多模式反激控制器，通过合封的方式消除寄生参数对高频开关造成的干扰，并减小外部元件数量，为氮化镓快充提供精简高效的电源方案。
HYC3601E/H内置自适应氮化镓栅极驱动器，可平衡开关损耗和EMI，抖频功能可改善EMI性能。芯片采用副边反馈，满足快充所需的宽电压范围输出。内置有丰富的保护功能，包括VCC供电过压保护、变压器磁饱和保护、取样电阻短路保护、过热保护、过载保护，输出过电压保护。
HYC3603601E/H待机功耗小于75mW，具有低启动电流。并支持频率反向控制技术，能够提升高压输入的转换效率。可用于充电器、USB PD快充，电视机及显示器待机电源、笔记本适配器等应用，提高能效并降低成本。
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JOULWATT杰华特
JW1566CD
杰华特JW1566CD是一颗反激拓扑的氮化镓合封芯片，芯片支持高压启动和宽范围供电，内置可选的过流和过功率保护功能，适配PD和QC快充应用。JW1566CD具有超低的待机功耗，支持供电过压保护，输出过压，欠压保护，支持输入欠压保护，电流传感引脚开路保护、逐周期过流保护、过功率保护和内置的过热保护功能。
JW1566CD采用DFN5*6-7封装，为 USB PD 快充与开关电源应用提供高能效小体积的解决方案。高集成度的芯片，简化应用，并降低外部元件数量。
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JW15158B
杰华特JW15158B是一颗集成氮化镓开关管的隔离反激转换器，芯片支持PWM和PFM控制，在不同的输入和负载条件都能实现高效率。JW15158B支持高压启动，宽供电电压高至90V，内部集成650V 1200mΩ氮化镓开关管，最高工作频率为110kHz。
芯片支持供电过压保护，输出过压，欠压保护，支持输入欠压保护，电流取样电阻开路保护、逐周期过流保护、过功率保护和内置的过热保护功能。支持抖频提升EMI性能，JW15158B采用散热增强的HSOP7封装，支持PD快充以及开关电源应用。
KIWI必易微
KP22080
必易微KP22080是一颗内部集成增强型氮化镓开关管的氮化镓合封芯片，芯片内部集成高压启动电路，具备超低启动和工作电流，待机功耗低于30mW。
KP22080芯片具备130/220KHz两档工作频率可选，支持全范围准谐振运行。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置，用于优化系统EMI性能。
芯片内部还集成升压供电，适用于PD快充宽范围输出应用。芯片内置供电欠压/过压保护，输入欠压保护，输出过压保护，逐周期电流限制，异常过流保护，过载保护，输出过流保护，过热保护，电流采样电阻开路保护。芯片采用HSOP-7封装，具有良好的散热性能。
MERAKI-IC茂睿芯
MK2786
茂睿芯 MK2786是一颗高频氮化镓合封芯片，专为PD快充应用优化。芯片内置650V 1Ω氮化镓开关管，最高工作频率130KHz。芯片具有9-85V宽范围VCC供电范围，能够覆盖PD快充的宽电压输出，无需额外供电器件或额外的供电绕组。
MK2786支持自适应多模式控制，根据负载不同自动切换DCM/QR和Burst模式，芯片具备完整全面的保护功能，具备输出过电压保护，过功率保护，VCC过压保护，同步整流短路保护和电流取样电阻短路保护。芯片采用ESOP-8封装，外围元件精简，适用于PD快充和适配器应用。
Navitas纳微
NV9586
纳微GaNSense Control合封氮化镓芯片NV9586，其内置600mΩ氮化镓开关管和高频QR控制器，具备无损电流检测，高集成度，高转化效率，可实现小体积化的快充设计。NV9586支持25W输出功率，芯片内部集成高压启动和X电容放电，支持CCM/QR/DCM控制模式，集成了逐周期限流，AOCP，OTP和LPS等保护功能，超低待机功耗仅为20mW。
NV9586 采用 QFN5x6 封装，最高开关频率为225kHz，可选129kHz开关频率，助力工程师灵活设计、优化变压器尺寸及 EMI 性能。NV9580无需额外的钳位电路即可实现6.8-80V 宽 VDD范围供电，有助于节省 BOM 成本，缩小 PCB 尺寸。
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On-Bright昂宝
OB2733
昂宝OB2733x是一颗高度集成的氮化镓合封芯片，芯片具备极低的待机功耗，支持宽范围电压输出，适合PD快充应用。芯片在满载时以QR模式运行，随着负载减轻进入PFM模式提高能效。当负载非常小时，芯片会进入扩展突发模式最小化待机功耗，实现全负载范围内的高转换效率。
芯片内部集成完整的保护功能，包括逐周期过流保护，过载保护，内部过热保护，输出短路保护，输出过电压和供电过电压保护。芯片还具备昂宝私有的频率扩展技术。昂宝 OB2733x采用EASOP7封装，适用于高功率密度PD快充应用。
SOUTHCHIP南芯
SC3055
南芯科技SC3055是一款高集成度的合封氮化镓芯片，内置 650V 耐压，650m Ω 导阻的氮化镓开关管和高频 QR 控制器。
南芯科技SC3055采用SOP7封装，底部带有Thermal Pad增强散热。芯片内部集成软起功能，沿用分段式供电技术支持宽电压范围输出，内置过温保护单元及完备保护功能，过流保护、过载保护、过压保护等。开关频率可达135kHz，提高系统的功率密度，满足日趋小型化的需求，是一款25W以下小功率快充应用极佳的选择。
SC3055内部集成软启动、集成分段式供电线路，在 Burst/Fault 模式下只有350uA超低工作电流，支持 Brown In/Out 功能，提供 VDD 过压保护、VDD 欠压锁定、输出过压保护、输出短路保护、过载保护、两级过流保护、逐周期限流等多重保护措施。
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应用案例：
充电头网总结
氮化镓技术在消费类电源产品中的大规模商用，充电器的效率得到优化，体积得到大幅降低，便携性更好，深受消费者青睐。目前各大手机、笔电品牌君已经入局了氮化镓快充市场，加上国家十四五计划对第三代半导体技术的扶持，氮化镓快充市场前景十分可观。
合封氮化镓芯片的出现，一颗芯片完成了此前需要三颗芯片才能实现的功能，从根本上解决了氮化镓功率器件在控制、驱动方面的难题，简化了快充电源的设计，并降低电源厂商的成本。
虽然目前快充总体呈现出多功能、多接口、大功率、小体积的发展趋势，但20W快充市场仍旧是其中重要的一环，上述厂商推出的20W合封氮化镓芯片填补了快充技术发展在这一板块上的空白，对于推动20W快充市场进步以及为消费者带来更加物美价廉的产品发挥了积极作用。
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